美国研制出新型“4维”晶体管
《延边大学学报(自然科学版)》[ISSN:1004-4353/CN:22-1191/N]
卷:
第38卷
期数:
2012年04期
页码:
290
栏目:
OA
出版日期:
2012-12-20
- 摘要:
- 物理学家组织网12月6日(北京时间)报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员研究出了一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管,其重要组件"门"(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为"4维"晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。平面结构的硅芯片晶体管一直沿用了半个多世纪,直至去年英特尔公司研发出垂直3维结构的晶体管,才宣告迈入了3维立体时代。但硅的电子迁移率存在局限性,若想进一步改进3维晶体管,很可能需要用其他材料来取代硅。
更新日期/Last Update:
2012-12-20